摘要：北方华创属于哪个板块？ 半导体板块 首先都知道北方华创是归在了半导体板块内,简单来说,是以半导体为核心的前道工艺设备平台企业。具体业务主要分为集成电路,半导体显示面板,半
北方华创属于哪个板块？
半导体板块
首先都知道北方华创是归在了半导体板块内,简单来说,是以半导体为核心的前道工艺设备平台企业。具体业务主要分为集成电路,半导体显示面板,半导体照明LED和半导体能源(光伏方面),此外还有少量的业务是做高端电容电阻等元器件的业务,占比较小。也就是说主要的业务是给一些半导体元器件生产商提供设备。
比肩全球半导体设备龙头、技术国内独一无二的科创板公司--中微公司 本报告中的信息均来源于公开资料，不构成任何投资建议$中微半导体$北方华创(SZ002371)$ 财务数据一、公司简介公司... - 雪球
公司成立于2004年，科创板第四批受理申报企业。第一大股东为上海创投，持股比例为20.02%，第二大股东巽鑫投资持股比例为19.39%。第一大股东实控人为上海国资委，第二大股东实控人为国家集成电路产业投资基金股份有限公司。公司无控股股东、无实际控制人。董事长尹志尧是公司创始人、最关键人物，持股1.34%。
中微亚洲、Grenade、Bootes均为公司外籍员工持股平台。Futago为原中微开曼部分A-1天使投资人和A轮自然人优先股东。悦橙投资、创橙投资、亮橙投资和橙色海岸的普通合伙人均为兴橙投资，一致行动人，合计持股10.64%。
科创板上市前公司总股本4.81亿股，发行上市后总股本10%，发行5348.6万股，发行后5.3486亿股。
公司主要产品是介质刻蚀设备和MOCVD，其中MOCVD设备收入增长较快，为营收主要来源（收入占比50.76%），而毛利的主要来源为刻蚀设备（毛利率46.18%）。下游是IC和LED领域，目前客户主要包括台积电、中芯国际、SK海力士、联华电子、长江存储、格罗方德、华力微、华邦电子、晶方科技、博世、意法半导体、三安光电以及华灿光电等，全部采用直销模式。
子公司中，中微厦门、中微南昌卖MOCVD，中微国际、中微公司卖刻蚀机。
2018年公司收入16.39亿元，同比增长68.62%；毛利率35.50%，下降3.09%。其中刻蚀设备收入5.66亿元，同比增长95.74%，总收入占比34.51%，毛利率47.52%，同比增长9.15%；MOCVD收入8.32亿，同比增长56.89%，总收入占比50.77%，毛利率26.33%，下降11.8%；备品备件收入2.27亿元，同比增68.17%，占收入比重13.83%，毛利率37.28%；设备维护收入0.14亿，收入占比0.88%，毛利率65.16%.
1.上世纪80年代之前全球半导体主要是用湿法刻蚀，将硅片浸泡在可以与被刻蚀膜层反应的化学液体中，除去不需要的部分。但是湿法刻蚀化学制剂所接触到的表面所有方向以同样的速度刻蚀，导致刻蚀速度不可控，从而造成偏差。
2.上世界80年代全球最大半导体设备公司美国应用材料（1967年成立）研发出干法刻蚀工艺，能对晶圆进行细微的雕刻，早期干法刻蚀是利用电极板产生等离子对晶圆表面刻蚀，这种方法被称为电容性等离子刻蚀（CCP）。
3.上世纪90年代初拉姆研究（1980年成立）研发出历史上第一台电感性等离子刻蚀机（ICP），ICP由于能在低压下产生较高浓度的等离子体，成为新一代刻蚀机的发展方向。尹志尧在1984-1996年在英特尔搞研发，在1986-1991年在拉姆负责领导刻蚀技术开发。
4.尹志尧在1991年从拉姆研究跳槽到美国应用材料担任集团公司副总裁、事业部经理，负责ICP的研究开发工作，被誉为“硅谷最有成就的华人之一”。
5.2004年，60岁的尹志尧决定回国创业，带领着三十多人的团队，冲破美国**的层层审查，所有的工艺配方、设计图纸都被美国没收，创办了中微半导体。
6.2005年中微研发出第一台国产干法刻蚀机在中芯国际上线，2007年推出首台双反应台刻蚀机，同时加工两片晶圆。
7.2007年就在公司设备即将进入台积电生产线时，美国应用材料以中微对其核心技术和材料有窃密之嫌为由，在美国联邦法院对其提起诉讼。由于证据不足最终在2009年底和解，但网上消息显示中微偿付了一笔钱。
8.2009年1月，中微半导体又接到了来自另一大IC设备巨头拉姆研究提起的第一次专利侵权诉讼，诉讼的焦点是拉姆研究指控中微生产的PrimoD-RIE介质刻蚀设备侵害了拉姆研究在台湾的I36706号专利（电浆密封环专利），自此两家公司开始了四次诉讼之争。最终台湾智慧财产法院宣判拉姆研究指控中微半导体侵权无效。
9.2015年美国商务部实地考察了中微和中芯国际后，公告放弃“限制对华出口刻蚀设备”并通报“瓦森纳协议”。
10.2016年，中微半导体成为国家集成电路产业投资基金（国家大基金）的第一个投资项目，投资总额达到4.8亿元，通过几轮融资，包括高盛集团、高通、三星、科天投资都成为了中微的投资者。
11.在MOCVD领域，MOCVD是LED制造核心设备，公司MOCVD发展很快，但同样遭到诉讼。2017年4月，Veeco在纽约东区的联邦法院对中微半导体MOCVD设备的晶圆承载器（即石墨盘）供应商SGL展开了专利侵权诉讼，要求禁止SGL向中微半导体供货并赔偿巨额损失。7月，中微半导体向福建高院正式起诉Veeco上海，指控其TurboDiskEPIK700型号的MOCVD设备侵犯了中微半导体专利。2018年2月9日，Veeco、中微半导体和SGL共同宣布，同意就三方之间的未决诉讼达成和解。
12.2018年，中微自研7nm等离子刻蚀机通过台积电验证，成为国产首台进入台积电产线的半导体设备。2018年底台积电对外宣布，将在2019年第二季度进行5nm制程风险试产，预计2020年量产。中微半导体自主研发的5nm等离子刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5nm制程生产线。
公司主要竞争力在于研发人员，而集成电路装备由于非常高端，公司研发最重要的是头部的科学家，通常情况下一个特级的科研人员带领十几个初级科研人员组成团队的研究成果，会比十几个高级科研人员组成的团队的研究成果更好。
公司高管和主要技术人员中，比较重要的有：
尹志尧博士，1944年生，美国国籍，中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年，就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986年至1991年，就职于泛林半导体，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991年至2004年，就职于应用材料，历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官；2004年至今，担任中微公司董事长及总经理。（薪酬278万）
杜志游博士：1959年生，美国国籍，上海交通大学学士，美国麻省理工学院硕士、博士。现任中微资深副总裁，主导制定了所有项目运营流程，包括公司生产运营策略、全球物料运营基础设施、信息技术系统和ERP（企业资源计划）项目执行等。1990年至1999年，历任PraxairInc.高级工程师、经理、董事总经理等；1999年至2001年，担任应用材料全球供应管理经理；2001年至2004年，担任梅特勒-托利多上海子公司总经理；2004年至今，历任中微公司副总裁、资深副总裁、首席运营官。现任中微公司董事及副总经理。（薪酬248万）
倪图强博士：1962年生，美国国籍，中国科学技术大学学士、硕士，美国德州大学博士、博士后。倪图强博士在中微担任副总裁暨刻蚀设备产品事业群副总经理。他主要领导用于高端电介质刻蚀的PrimoD-RIE和PrimoAD-RIE设备的研发和项目管理。加入中微之前，1995年至2004年，担任拉姆研究技术总监，是拉姆研究新产品部门主要技术专家，并是Lam2300系列刻蚀产品的发明者之一。（薪酬201万）
麦仕义博士：1947年生，美国国籍，台湾大学学士、美国马里兰大学博士。1985年至1989年，担任英特尔资深工程师；1989年至2003年，担任应用材料资深总监；2004年1月至2004年6月，担任英特尔项目经理；2004年8月至今，担任中微公司副总裁。（薪酬184万）
杨伟先生，1966年生，美国国籍，西安交通大学学士、硕士。1993年至1995年，担任智群科技股份有限公司项目经理；1995年至2004年，担任应用材料软件部资深总监；2004年至今，担任中微公司副总裁。（薪酬198万）
李天笑先生，1958年生，美国国籍，复旦大学学士、美国韦恩大学硕士、美国纽约大学硕士。1990年至1995年，担任美国索尼资深电气工程师；1995年至2004年，担任应用材料亚太项目经理；2004年9月至今，担任中微公司副总裁。（薪酬189万）
朱新萍：1965年生，中国台湾籍，台湾国立成功大学学士。1992年至1996年，担任华邦电子股份有限公司刻蚀工艺高级工程师；1997年至1999年，担任台湾世大集成电路公司刻蚀工艺部经理；1999年至2005年，担任台湾应用材料公司高级产品经理；2005年至今，历任中微公司大中华地区总经理、公司副总裁兼刻蚀产品及业务群总经理、副总裁、集团副总裁，现任中微公司副总经理。主要负责程序开发和产量提高。（薪酬205万）
陈伟文：1967年生，中国香港籍，厦门大学学士、美国阿拉巴马大学硕士。中微首席财务官。1996年至1999年，担任普华永道会计师事务所审计师；1999年至2000年，担任可口可乐公司总部财务分析师；2000年至2005年，担任霍尼韦尔国际总部资深内审员及中国区飞机引擎分部财务总监；2006年至2007年，担任耶路全球中国国际运输财务总监；2007年至2008年，担任海王星辰连锁*店集团财务总监兼副总经理；2009年至2010年，担任盛大科技财务总监；2010年至2012年，担任阿特斯太阳能集团副总经理兼财务总监；2012年至今，担任中微公司副总经理兼财务负责人。（薪酬184万）
公司目前的董事会董事结构为尹志尧、上海集成电路大基金董事长沈伟国、上海科创集团副总经理朱民、华芯投资（国家大基金）投资三部副总经理杨征帆、兴橙投资（私募）总经理张亮、华芯创投董事长陈立武、杜志游。
截至2018年底共有研发人员240人、工程技术人员141人，2018年合计研发支出4亿；北方华创全公司共有研发人员1170人，2018年研发支出合计8.73亿。
电容性等离子体刻蚀设备（CCP）主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备（ICP）主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。中微进入台积电7nm生产线的是CCP，第一款CCP产品07年研制成功，在即将进入台积电时遭到应用材料诉讼而终止，目前供应台积电7nm的CCP设备于2011年研制成功，18年进一步改进CCP推出新品进入台积电5nm生产线。ICP2012年开始研发，16年研制成功，涵盖14nm、7nm、5nm，推测3年内开始进入生产线。
截至2018年末，中微公司累计已有1100多个反应台服务于国内外40余条先进芯片生产线（北方华创刻蚀机累计销售腔室600余个）。
薄膜沉积设备方面，公司从2010年开始开发用于LED外延片加工中最关键的设备——MOCVD设备。公司已开发了三代MOCVD设备，可用于蓝绿光LED、功率器件等加工，包括：第一代设备PrismoD-Blue、第二代设备PrismoA7及正在开发的第三代30英寸大尺寸设备（目前公司CVD主要用于LED，预计随着技术进一步改良有可能进入IC领域）。
1.CCP
2.ICP：
3.MOCVD：
CCP：
原理是两块平行的电容极板，通过电场加速放电，产生两个电极和等离子体，两块极板顶部通过高压释放高能离子，底部释放低能离子来刻蚀硅片表面材料。特点为能够实现上下两块电容极板的独立控制。但是，CCP电容等离子当两块电源频率接近时，双频放电会产生较强的非线性作用，导致等离子浓度不均匀。所以，CCP刻蚀技术会导致硅片表面粗糙或底层损伤。因此，主要用于刻蚀硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质和金属材料。
目前，CCP技术主流代表企业为东京电子（TEL），市场份额为54%，其次为拉姆研究（40%），中微半导体排名第三，市占率为3%，市场前两大巨头市占率为94%。
ICP：
通过电流线圈缠绕充满气体的石英玻璃管进行放电产生等离子体；TCP，transformcoupleplasma，平面盘绕电感等离子体，是在ICP基础上将感应线圈放置在一个平面内，因此TCP的离子体更均匀。
ICP较CCP技术要求更高，相比电容性放电，电感能够在低压下产生更高密度、更均匀的等离子体，对晶圆的伤害较小，不仅能够刻蚀介质，更能够刻蚀难度最高的硅材料。
目前，国内仅有两家能够生产出ICP设备，一个是北方华创的NMC612D，另一个就是中微半导体的Primonanova高端系列。
原子层刻蚀（ALE）：
原子层刻蚀（ALE）是目前硅刻蚀技术最先进的技术，这种技术能够实现定向刻蚀（仅在一个方向）或各向同行刻蚀（所有方向上），其选择比最高。
目前，全球仅龙头拉姆研究的硅材料ALE技术（Kiyo和Flex）设备具有最新ALE定向技术。而中微半导体设备仍处于介质刻蚀阶段，还没能达到原子层蚀刻的地步。
公司主要采取自主研发的模式，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段：
1.可行性阶段：本阶段的目的是指研发部或销售部根据行业技术动态或市场需求提出新产品定位与构想，综合比对多种技术方案以确定最适合客户需求的研发方案，进行设计并修改方案。
2.Alpha阶段：公司对机台进行持续的技术开发和验证，同时进行小批量生产。公司视情况需要将机台在客户端开始小批量验证。本阶段组装形成的机台称为Alpha机。
3.Beta阶段：本阶段的主要内容是将机台送往目标客户以完成客户生产线的大批量验证，分析、制定设计修改方案，及时解决与处理客户问题并对机台进行技术改进，本阶段的机台称为Beta机。
4.量产阶段：在该阶段，为了保证产品、技术的工艺升级和改进，公司研发部负责接受各部门的反馈，公司会针对量产过程中遇到的问题进行研发。
CCP：
ICP：
MOCVD：
截至2018年末，公司总人数为653名，其中研发人员为240名，占员工总数的比例约为37%。
晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备，分别占晶圆制造价值的24%、23%和18%。
由于制程越来越先进，刻蚀设备投资额在IC设备投资占比中越来越高，且目前行业集中度非常高，2017年拉姆研究、东京电子、应用材料市场占比分别达到55%、20%、19%，CR3达到94%，行业技术壁垒明显。
LED外延片的制备是LED芯片生产的重要步骤，与集成电路在多种核心设备间循环的制造工艺不同，主要通过MOCVD单种设备实现。MOCVD设备作为LED制造中最重要的设备，其采购金额一般占LED生产线总投入的一半以上，因此MOCVD设备的数量成为衡量LED制造商产能的直观指标。
高工LED数据显示，2015年至2017年中国MOCVD设备保有量从1,222台增长至1,718台，年均复合增长率达18%。根据LEDinside统计，中国已成全球MOCVD设备最大的需求市场，MOCVD设备保有量占全球比例已超40%。
按照全球半导体设备行业空间600亿美金、刻蚀设备占比20%计算，全球刻蚀设备年需求120亿美金，约合800亿人民币。
预计2020年中国大陆市场制造设备规模占比超20%，约170亿美元。则国内市场刻蚀设备需求34亿美金，约合200亿人民币。
应用材料：2016年-2018年研发支出为15.40亿美元、17.74亿美元、20.19亿美元，占营业收入的比重为：14.23%、12.20%、11.70%，无资本化；
拉姆研究：2016年-2018年研发支出为9.14亿美元、10.34亿美元、11.90亿美元，占营业收入的比重为：15.52%、12.90%、10.74%，无资本化；
北方华创：2016年-2017年研发支出为7.58亿元、7.36亿元，占营收比重为46.72%、33.13%，资本化比例为22.82%、51.55%，资本化支出是净利润的2.57倍、2.27倍。
中微半导体：2016-2018年研发支出为3.02亿元、3.3亿元、4.04亿元，占收入比重分别为49.62%、34%、24.65%。2017-2018资本化1.62亿元、3.24亿元，比例为31.53%、47.94%，是净利润的5.4倍、3.56倍。
假设发行5349万股，发行后市值100亿，募资10亿，每股发行价18.7元。
高端半导体设备的扩产升级计划包括但不限于聘请工程师、专家及其他人才，采购不同类型的刻蚀设备及MOCVD设备的Beta机，采购扩产升级所需的必要生产辅助设备和软件，储备扩产升级所需的气体、衬底等关键原材料，建设改造原有的生产厂房和仓储设施，以进一步扩大公司高端刻蚀设备和MOCVD设备的生产能力及在相关领域的应用。
主要资金3.12亿用于硬件投资，对现有生产场地的升级建设和先进生产设备引入，以扩大生产能力、提高技术水平（建设期为2年半）。
扩产产品：
1.CCP：PrimoAD-RIE、PrimoSSCHD-RIE；
2.ICP：Primonanova
3.MOCVD：高产能蓝绿光LEDMOCVD、高温MOCVD、硅基氮化镓功率应用MOCVD、基于LED显示应用的MOCVD设备
1.5nm、3nmCCP
2.具有超高深宽比的存储器芯片等离子体介质刻蚀技术
公司持有沈阳拓荆10.96%股权，国内四大半导体设备巨头（中微、上海微、北方华创、沈阳拓荆）之一，国产薄膜机龙头，拥有12英寸PECVD（等离子体化学气相沉积设备）、ALD（原子层薄膜沉积设备）、3DNANDPECVD（三维结构闪存专用PECVD设备）三个完整系列产品，技术指标达到国际先进水平，用于集成电路、LED、OLED。
公司现有员工总数近300人，其中本科以上员工占总数90%，硕士以上员工占总数的41%。公司拥有国际一流的专家团队，现有14名海外专家。
目前技术水平：
PECVD：目前做到12寸40-28nm，具有14-5nm延伸性，目前设备已量产进入大陆和台湾生产线。
ALD：反应腔搭载在已通过生产验证的高产能PECVD平台上，充分实现ALD设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路，OLED及先进封装（TSV）领域。ALD技术一次沉积一层原子层薄膜，并针对14nm以下FEOL前道工艺进行合作开发。
3DNANDPECVD：承担了国家十三五重大专项，自主研发，是国产首台应用于新一代三维闪存芯片（3DNAND）生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备，拥有100%自主知识产权。目前可实现超过128对的SiO2、SiN（ONON）多层薄膜堆叠结构，在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破，设备性能指标达到同类产品国际先进水平，具备产业化能力及市场竞争力。
公司沈阳基地第一期生产能力可实现年产100台套，全部投产可达350台套设备，支撑年产值50亿元的产业规模。
半导体芯片龙头是哪几只股票？
中国半导体芯片龙头股排名前十的有：1、北方华创；2、中芯国际；3、兆易创新；4、卓胜微；5、紫光国微；6、韦尔股份；7、北京君正；8、华润微；9、扬杰科技；10、长电科技。1、北方华创。北方华创科技集团股份有限公司，简称北方华创，股票代码002371，是由北京七星华创电子股份有限公司和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。2、中芯国际。中芯国际集成电路制造有限公司，港交所股票代码00981，上交所科创板证券代码688981。中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地技术最先进、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业集团。3、兆易创新。北京兆易创新科技股份有限公司成立于2005年，是一家领先的无晶圆厂半导体公司，致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月，公司在上海证券交易所成功上市，股票代码603986。在中国市场，兆易创新的SPINORFLASH市场占有率为第一，同时也是全球排名前三的供应商之一。兆易创新的触控和指纹识别芯片广泛应用在国内外知名移动终端厂商，是国内仅有的两家的可量产供货的光学指纹芯片供应商。4、卓胜微。江苏卓胜微电子股份有限公司成立于2012年8月10日，于2019年6月18日在深圳证券交易所创业板上市，股票简称卓胜微，股票代码300782。公司专注于射频集成电路领域的研究、开发与销售，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品，同时公司还对外提供低功耗蓝牙微控制器芯片。
2018年十大金股之北方华创(002371)
投资要点
公司是我国高端半导体设备上市龙头，国有控股及大基金持股，平台优势显著。公司实际控制人为北京电控，是北京国资委所属特大高科技产业集团。国有控股及大基金持股带来公司外延并购整合发展政策性及融资性便利，有望不断吸收优质资产，成为国内最前沿半导体综合设备制造商。
本土晶圆厂建设浪潮+设备国产化，龙头迎高增长契机。未来三年全球新建晶圆厂有40%位于大陆，总投资额约6500亿元，其中设备投资占比超60%。公司作为国内高端半导体工艺设备综合供应商，产品覆盖除光刻机以外半导体前端生产大部分核心设备，在晶圆产能本土化浪潮及国家政策催化半导体设备国产化的背景下，将迎来高增长契机。
02专项重要承担单位，十年技术积淀，14nm制程设备业已进入工艺验证。七星电子及北方微电子均为02专项承担单位，分别负责氧化炉、清洗机及刻蚀机、沉积设备产研，技术积淀深厚。公司28nm制程设备已进入中芯国际生产线，14nm制程刻蚀机、PVD业已逐步展开工艺验证，有望抢占国内14nm世代生产工艺设备高地。
延伸电子工艺装备产业，多元驱动公司高增长。除半导体设备外，公司下游应用覆盖光伏、锂电池等产业。光伏产业景气未央，公司单晶炉设备在手订单总额超10亿元；锂电池产能爆发式扩张，作为锂电前端生产装备供应商，将受益下游生产设备强劲需求；定位高精密市场，电子元器件业务维持高增速，毛利率超40%，持续贡献高质量业绩
公司是我国高端半导体设备绝对龙头，在产品线丰富程度和技术上均处于国内领先地位。一、公司半导体产品体系丰富，几乎囊括除光刻机以外的半导体前端生产所需主要核心设备，包括：刻蚀机、PVD、CVD、扩散/氧化炉、气体流量计及清洗装备。
同时借助技术同源性，积极延伸先进封装领域、半导体照明领域、MEMS（微机电系统）与功率器件等泛半导体领域应用；二、公司半导体设备技术处于国内前沿，与国外顶尖技术差距在2个代差以内。28nm制程设备已进入核心客户生产线：当前公司刻蚀机、PVD、Saqua™单片清洗机、单片退火设备、氧化退火炉等设备均已进驻中芯国际28nm产线；14nm制程设备正进行工艺生产验证：14nm等离子硅刻蚀机已进入上海集成电路研发中心进行工艺生产测试；14nm制程的单片退火设备HardmaskPVD（硬掩模物理气相沉积）设备也已成功进入国际主流集成电路生产线验证。
未来三年全球新建晶圆厂有40%位于中国大陆，总投资额约6500亿元，其中设备支出占比约60%，设备龙头将充分分享需求红利。目前中国大陆已经是半导体设备需求规模前三的地区，但制程设备市场主要被外资品牌所占据。我们认为国产半导体生产设备正迎来历史性机遇，一方面，**政策积极引导，大基金入场注资，国内半导体产业成长环境优质；另一方面全球半导体产能向中国大陆转移的趋势明显，本土晶圆厂新建潮流迭起，设备整体需求强劲，国内供应商在本土化的服务与交流方面优势明显；其次，公司设备能够满足国内半导体生产工艺需求，在28nm设备已经实现生产线量产的基础上，14nm制程设备正进行工艺生产验证，整体进度与中芯国际相近。公司有望搭上国内半导体制造14nm制程工艺生产发展快车，实现设备放量增长。
以史为鉴，“天时地利”曾带来汉微科的高速发展，而北方华创目前已经迎来其“天时地利”。2008年~2014年，半导体先进制程检测需求带来汉微科的“天时”、台湾本土晶圆产业的繁荣发展带来汉微科的“地利”，汉微科以爆发式增长的方式实现了技术进步及产业地位提升。
当前，全球半导体产业进入后摩尔定律时代、国内外技术代差缩小，带来北方华创的“天时”；全球半导体产业向大陆转移、国家政策大力扶持，带来北方华创的“地利”。我们认为，北方华创有望像曾经的汉微科一样，进入爆发式增长阶段，实现对国外的技术赶超。
国内半导体设备上市龙头公司，且为国有控股，平台优势凸显。北京电控直接持有公司股份9.23%，并通过七星集团间接持有公司股份38.90%，为公司实际控制人，公司其他持股股东包含多家产业发展基金。股权结构优质，国有控股及大基金持股带来公司外延并购整合发展政策性及融资性便利，助力吸收优质资产，成为国内最前沿半导体综合设备制造商。
1、公司是国内半导体设备龙头
公司前身为北京七星华创电子股份有限公司，于2001年9月，由北京电控整合原国营700厂、706厂、707厂、718厂、797厂、798厂的优质资产和业务，以七星集团为主发起人发起设立，主营业务为半导体装备（扩散、清洗设备）及精密电子元器件业务，2010年3月，公司在深圳证券交易所挂牌上市。2016年8月，公司通过发行股份与北方微电子进行战略重组，并于2017年2月更名为“北方华创科技集团股份有限公司”。
公司为国内半导体设备龙头。公司为国内规模最大、产品体系最丰富、涉及领域最广的高端半导体工艺设备供应商，主要产品为等离子刻蚀装备、物理及化学气相沉积设备（PVD、CVD）、氧化扩散装备及清洗装备等，基本涵盖半导体生产前处理各关键工艺装备。
技术优势突出，28nm制程设备已进入生产线量产，14nm制程设备正处于工艺验证阶段，为国内半导体先进设备最前沿。
公司收入主要来自于半导体设备与电子元器件，2016年二者合计收入占比达83.35%，且毛利率均超40%。公司现形成以半导体装备为核心，囊括真空装备、新能源锂电设备及电子元器件等业务的多元经营态势。2016年，公司半导体设备实现收入8.13亿元，占公司收入的比例达50.11%；电子元件实现收入6.08亿元，占公司收入比例为33.24%；受益下游扩产带来强劲设备需求，锂电设备业务收入达9557.74万元，同比大幅增长250.05%，占比公司收入比例提升至2.52%；真空设备占公司营收比例为8.43%。技术高门槛，奠定产品红利，半导体及电子元器件业务毛利率均超40%。
公司实际控制人为北京电控，是北京国资委属特大高科技产业集团。公司控股股东为七星集团，直接持有公司股份38.90%。北京电控直接持有公司股份9.23%，并通过七星集团间接持有公司股份38.90%，为公司实际控制人，其他持股股东包含多家产业发展基金。公司股权结构优质，国有控股及大基金持股带来公司外延并购整合发展政策性及融资性便利，助力公司成长为国内半导体设备龙头。
2、半导体消费需求旺盛，本土晶圆产能进入扩张期
半导体主要指代集成电路。按照半导体的制造技术，可以分为集成电路、分立器件、光电子、传感器等。集成电路市场占半导体产业的比例超80%，因此，在大多数场合，半导体主要指代集成电路。
2.1亚太地区成为半导体消费中心，中国需求尤盛
全球半导体产业销售额稳定增长，亚太地区逐渐成为消费中心。全球半导体行业则保持着较为稳定的增长速度，根据世界半导体贸易统计组织WSTS的数据，2016年全球实现半导体销售额3389.31亿美元，同比增长1.12%，2003年至2016年的复合增速为5.21%，2020年有望达到4000亿美元的市场规模。
亚太地区的半导体销售额增速更快，2016年亚太地区的销售额为2083.95亿美元，同比增长3.64%，2003年至2016年的复合增速为8.94%，占全球比重从2003年的37.76%上升至2016年的61.49%，成为全球半导体产品的消费中心。
中国集成电路行业销售额始终保持着20%的高增速。根据中国半导体行业协会的数据，中国集成电路销售额在2016年创纪录的达到了4335.50亿元，同比增加20.10%，2003年至今的销售额复合增长率达到21.98%，除2008、2009年因金融危机影响导致行业销售额下滑之外，其余年份均能保持较高的增速。销售额增长的主要动力来自于汽车电子、工业控制以及通信设备等细分领域。
2.2台、韩、日现为晶圆主要产地，新建项目逐渐向中国大陆转移
台湾、韩国、日本是主要的晶圆产地，占比达59.30%，而大陆产能占比为10.80%。
据统计，截止2016年12月，全球折合成8寸晶圆的产能为每月1711.4万片；其中中国大陆全球市场占有率约10.8%，相比2015年上升了1.1个百分点，仅次于台湾、韩国、日本和北美。台湾、韩国、日本是主要的晶圆产地，晶圆产能占全球晶圆产能的59.3%。
大陆半导体行业供需严重失衡。从供给端来看，2016年中国地区晶圆制造产能仅占全球10.8%，而消费市场占全球33%，中国半导体市场供需关系严重失衡。
国内集成电路长期依赖进口，贸易逆差从2007年的1041.86亿美元上升至2016年的1660.05亿美元，已经连续9年扩大，其中超一半的进口来自台湾地区和韩国，占比分别为32%和23%。
大陆旺盛的需求吸引了海外集成电路行业产能的转移。Gartner表示，2017年由于库存补充和特定市场的平均销售价格的增加，半导体将迎来复兴。同时国内旺盛的需求和持续扩大的供需缺口，吸引了台积电、格芯、联电等大厂纷纷在大陆设立先进制程晶圆厂，方便就近服务中国大陆的客户。大陆地区12寸晶圆厂现有产能（按设计产能）为52.5万片/月，约占全球12寸晶圆厂产能的12%。现有产能中50%来自韩国厂商，30%来自大陆本土厂商，10%来自美国厂商，10%来自台湾厂商。
未来3年约40%的新建晶圆厂将位于中国大陆。半导体制造产能向大陆转移已成为不可逆转的趋势，转移的动力一是来自国际厂商持续在大陆设厂，二是大陆本土厂商在**和大基金的支持下，积极投资建厂。在产能建设方面，根据国际半导体设备与材料产业协会SEMI发布的报告，目前全球处于规划或建设阶段，预计将于2017年~2020年间投产的半导体晶圆厂约为62座，其中26座位于中国，其中多数为晶圆代工厂，预计2017年有6座工厂投产，2018年有13座投入运营。
2.3设备是晶圆生产的根基，占产业资本支出比例超60%
设备是半导体产业的投资核心，“一代设备、一代产品”，其先进性是保证产品不断升级的基础。集成电路技术的发展伴随着芯片线宽尺寸的不断减小，线宽由10微米-3微米（1959年-1975年）到0.6微米-0.065微米（1990年-2005年）到65纳米-45纳米（2005年-2010年）到45纳米-28纳米（2011年-2015年）到20纳米-10纳米，还在向更小的方向发展，目前国际上14纳米技术已进入产业化阶段，国内28纳米技术已进入产业化阶段。相应地，制造工序也逐渐复杂，65nm需要约600余道工序，45nm需要约800余道工序，28nm和14nm则分别需要1300和1700余道工序，带来更多的设备需求。在芯片线宽不断缩小的同时，硅片尺寸不断扩大。主流产品硅片尺寸已经从4英寸、6英寸、8英寸发展到现阶段的12英寸，未来还将继续向18英寸过渡。
全球半导体产业资本支出维持高位平稳。集成电路生产线的投资规模巨大、且维持产线运作的费用很高，为了不断追踪行业前沿，还需要持续的资金投入维持工艺水平，这体现了集成电路行业资金密集型的特点。世界主流的半导体厂历年的资本支出规模均在百亿美元级别附近，如台积电对于10nm级的投资金额约达台币7000亿元，对3nm和5nm等级的投资金额也达到5000亿台币，后续尚在增加中。最近几年全球半导体行业的资本支出基本在六七百亿美元的级别，并处于稳定增长中。
设备投资占半导体产业资本支出的60%以上，其中晶圆制造设备的比例最高。制造、封装、测试设备的价值量大，直接影响着半导体生产的技术水平与良率，在半导体产业的资本支出中占据了约60%-70%的比例，其中晶圆制造过程因工艺复杂，工序多样，相关设备的价值量占比最高，达到了总资本支出的50%左右。
3、对标汉微科，旺盛的本土需求助力设备高速成长
以史为鉴，“天时地利”曾带来汉微科的高速发展，而北方华创目前已经迎来其“天时地利”。2008年~2014年，半导体先进制程检测需求带来汉微科的“天时”、台湾本土晶圆产业的繁荣发展带来汉微科的“地利”，汉微科以爆发式增长的方式实现了技术进步及产业地位提升。
当前，全球半导体产业进入后摩尔定律时代、国内外技术代差缩小，带来北方华创的“天时”；全球半导体产业向大陆转移、国家政策大力扶持，带来北方华创的“地利”。我们认为，北方华创有望像曾经的汉微科一样，进入爆发式增长阶段，实现对国外的技术赶超。
汉微科，小而美的顶尖电子束晶圆检测技术公司。在晶圆线宽进入纳米次世代后，传统的光学技术将面临瓶颈，而以电子扫描显微技术为核心的检测机台将逐渐成为晶圆缺陷检验主流。抓住市场新兴技术发展趋势及市场需求，1998年，汉民微测科技股份有限公司的核心研发中心，HermesMicrovision,Inc.，由四位顶尖科学家领衔在美国成立，开始投入电子束晶圆检测设备的研发。
2003年，汉民微测科技股份有限公司在台湾成立，并推出第一台检测设备(eScan®300)。2004年，完成对HermesMicrovision,Inc.的收购，随后依托电子束晶圓检测设备的核心技术不断推出先进制程产品，公司占全球电子束检测市场份额达85%左右。2016年，被半导体设备巨头ASML收购。
汉微科的整体发展可以分为技术孕育、茁壮成长、整合再成长三个阶段：
第一阶段，1998年-2009年，技术积淀期。蛰伏期，专注电子束检测技术升级研发，下游需求疲软，公司营收增长缓慢，长期处于亏损状态；
第二阶段，2010年-2014年，茁壮成长期。随着半导体制程微缩至28nm及以下，晶圆代工厂商逐渐引入高阶电子束晶圆缺陷检测设备，以克服电晶体密度大幅微缩后，传统光学检测失败率偏高的问题。公司营收大幅增长，业绩扭亏为赢，净利率逐年稳健提升；
第三阶段，2015年-2016年，整合再发展。随着半导体制程进一步缩小至10nm及以下，技术研发成本增长迅速，边际收益逐渐降低。2016年，汉微科被ASML收购，有望借助ASML大平台，实现业务再发展。
3.1技术立身，专注电子束检测研究
卓越的研究团队把握顶尖技术前沿，充足的研究费用保证产品推陈出新。汉微科的核心研发部门为HermesMicrovision,Inc.，位于美国硅谷，团队由四位分别在物理及电子光学核心技术、软体及影响处理、机械构造、电子控制领域等方面的顶尖科学家领军，研发能力突出。公司研究经费支出不断攀升，以保证检测产品能够满足乃至领先半导体制程微缩化需求。
2009年，公司研究费用支出为3.03亿新台币，2015年，公司研究费用支出增长至11.94亿新台币，研究费用支出年均复合增长率达21.68%。伴随着研究费用迅猛增长，公司检测产品不断推陈出新，已形成在半导体先进制程领域应用的技术优势。
深耕电子束晶圆设备检测设备研发，电子束检测领域龙头，市场份额超85%。公司在创立初期即确立电子束晶圆检测设备的研究方向，当时，即便国际晶圆检测设备巨头科磊也不看好该市场，主要有两方面原因，一方面，传统光学检测设备是主流，能够满足微米级制程晶圆缺陷检测需求；另一方面，电子束检测相对成本高、技术难度大，吞吐量较低，使用效益不高。
分析台积电晶圆代工营收数据，2008年之前，微米级制程半导体为生产主流，光学检测设备能较好满足缺陷检测需求，电子束检测设备需求疲软。得益于顶尖团队对于检测技术更新升级的执着及背后汉民科技集团的鼎力支持，汉微科终将守得云开见月明。
3.2“天时”、“地利”，汉微科顺势茁壮成长
“天时”、“地利”，汉微科发展恰逢其时。“天时”，电子束检测设备，切实迎合半导先进制程高精度检测需求；“地利”，台湾本土晶圆代工产业的繁荣发展，为汉微科研究设备的产业应用提供调试与磨合的平台。产业上下游之间相辅相成，晶圆代工先进生产工艺不断改良亦反促上游检测设备升级，持续占据在产业最前沿。
随着半导体制程进一步微缩及3D晶体管结构形式的发展，电子束检测设备高精度优势逐渐凸显。自2012年以来，晶圆代工厂已逐步在28纳米先进制程中导入高阶电子束晶圆缺陷检测设备，以克服电晶体密度大幅微缩后，传统光学检测方案不敷应用的问题。
一线晶圆代工厂争相在2013年推出20纳米制程，并接续于2014-2015年跨入16/14纳米世代，随后，10纳米制程乃至7纳米制程也逐步进入技术验证及开发阶段，电子束检测需求稳健提升。理论上，当晶圆制程发展至1x纳米后，光学检测几乎面临技术极限，电子束检测技术将顺势取而代之。
制程微缩化对于电子束技术检测晶圆缺陷需求
台湾晶圆代工产业的繁荣，为孕育本土领先设备生产商提供沃土。台湾半导体产业生态链完善且优质，从IC设计到晶圆加工制造乃至封装测试，台湾本土均拥有世界级先进企业。据ICInsight统计，2016年，台湾本土企业晶圆产能达364.5万片/月，占比全球产能达21.30%。同时以台积电为代表的台湾先进晶圆加工工艺已在2017年上半年实现10nm制程晶圆量产，7nm有望在2018年放量，生产工艺领先全球。
完善的半导体产业链，突出的晶圆代工生产能力（产能和工艺），为中游半导体设备制造提供良好的成长环境，包括：1.工艺技术上的反馈更新，“一代器件，一代设备”；2.工艺试验辅助，出货量较少设备企业难以负担工艺试验线的费用需利用下游制造企业的产业线辅助试验。
2016年，台积电晶圆产能约225万片/月（等效8寸晶圆），近乎2009年产能的3倍。同期，20nm制程晶圆成为营收主要来源，并于2017年二季度实现10nm制程晶圆量产
本土晶圆生产企业资本支出持续高位，先进半导体生产设备需求旺盛，汉微科台湾市场营收增长迅速。为升级制程工艺、提升产能，台积电资本支出持续走高，本土需求资源优质，汉微科迎来成长契机。2009年，汉微科台湾市场营收为4.93亿新台币，2014年其营收规模增长至23.89亿新台币，年均复合增速达37.12%。
台湾市场为汉微科营收来源核心，其份额基本维持在35%附近。本土市场的稳定发展，为汉微科后续的全球扩张提供扎实的资本及技术基础。
茁壮成长期，产品放量业绩迸发。伴随着半导体产业周期性复苏，凭借自身在电子检测技术领域扎实的技术积淀，龙头汉微科，迎来茁壮成长期，营业收入由2009年的13.12亿元，大幅增长至2014年的72.10亿元，年均复合增速达40.60%。
产品毛利率逐年上升，维持在70%附近高位。高品质产品逐渐放量，公司整体盈利能力改善显著。2010年，汉微科业绩实现扭亏，净利率逐年提升，至2014达历史峰值点为44.91%，经营业绩表现靓丽。
3.3牵手ASML，汉微科发展再上新台阶
2015年以来，汉微科发展遭遇高原期，一方面，纵向比较历史业绩，研发支出保持20%左右增速，但营收同比不断下滑，净利率逐渐降低；另一方面，虽然成长迅速，但业务体量显著小于国际检测设备巨头科磊，2015年，科磊营业收入及研发支出分别为28.14美元、5.31美元，分别为汉微科同期营收及研发支出的13.40倍及13.96倍，汉微科产品研发带来的边际红利较低，仅依靠自身平台成长空间接受产业巨擘ASML并购，汉微科发展再上新台阶。随着半导体制程的进一步微缩，研发成本的指数式增长及生产工艺复杂度增加，推动半导体设备生产商进行纵向并购延伸。
2016年半导体设备巨擘ASML以1000亿新台币完成对汉微科的收购。通过对技术的进一步整合，ASML产品组合将更加丰富，产品开发速速将提速。同时，汉微科研发平台将进一步增大，有望持续在电子束检测装备领域保持龙头优势地位。
4、产品线日趋丰富，半导体设备巨头成长可期
公司前身七星电子成立于2001年9月，核心技术承接于原先国营700厂、706厂、707厂、718厂、797厂、798厂，资质优越，主营业务为半导体设备及精密电子元器件业务，其中半导体设备主要为扩散/氧化炉、气体流量计及清洗装备。2016年8月，公司完成对北方微电子的收购，半导体业务进行重新整合后，产品线进一步拓展，新增刻蚀机、物理气相沉积设备（PVD）及化学气相沉积设备（CVD）。
对标汉微科，我们认为北方华创的成长逻辑如下：
1.公司为02专项重要承担单位，十年积淀，与国外技术代差不断缩小；
2.发展纲要引导，大基金入场，产业成长政策及资本环境优渥；
3.本土晶圆厂新建浪潮渐起，携手IC制造龙头，迎来销量增长及技术升级契机；
4.国内最纯正的半导体设备上市公司，平台整合优势凸显。
4.1承接02专项，深耕先进制程设备研发
02专项，即：《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目，因次序排在《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》所列的16个重大专项第二位
在行业内被称为“02专项”。02专项旨在培育业内先进技术制造企业，追赶国际技术并促产业的迅速发展。
北方华创负责承担“02专项”中刻蚀机、PVD、氧化炉/扩散及清洗设备产研任务，十年积淀，相关技术能力已逐步延伸至28-14nm先进制程。02专项至今已持续十年，通过专项资金的扶持，国内优秀半导体设备产商逐渐打破国外企业技术垄断，公司先后完成了12吋集成电路制造设备90-28nm等多个关键制程的攻关工作；
目前，28nm刻蚀机分别落户中芯国际和上海华力微电子、14nm刻蚀机已参与客户工艺开发；28nmPVD被中芯国际北京厂指定为28nm制程Baseline机台、自主研发的AIPadPVD正被用于武汉新芯先进存储器芯片生产线上关键的工艺制程；12吋Saqua单片清洗机、氧化炉退火炉、单片退火设备等设备均已进驻中芯国际28nm生产线，技术水平与国际量产的最高技术水平差距缩小至1-2个技术代
4.2外延并购优质资产，打造高端半导体综合设备供应商
并购整合是半导体设备制造行业发展趋势，作为国内半导体设备上市龙头企业，借助资本市场融资优势，外延并购优质企业，是实现公司做大做强的有效发展路径。2016年，公司收购北方微电子，拓展了先进封装、半导体照明及微机电系统应用领域；2017年，公司将收购美国Akrion公司，强化公司半导体清洗技术，拓展清洗机设备产销体系。至此，公司产品几乎已经涵盖除光刻机以外的半导体前端制造的所有核心设备：刻蚀机、PVD、CVD、扩散/氧化炉、清洗设备等，逐渐成为半导体制造综合设备供应商。
收购Akrion公司，丰富清洗设备产品开拓国际市场。AkrionSystemsLLC公司在半导体湿法清洗技术领域拥有多年的技术积累，全球范围内有千余台设备应用于各类用户生产现场。本次收购完成，与北方华创目前清洗设备品种实现较好互补，将丰富公司清洗机设备的产品线，增强公司服务客户的能力，并提高公司产品的市场占有率及竞争能力，符合公司的长远发展战略。
4.3晶圆产能本土化浪潮渐起，国产设备迎来成长契机
2014年6月，***印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，旨在通过资本支持及技术强化推动集成电路产业重点突破和整体提升。2014年9月24日，国家集成电路产业投资基金成立，初期规模近1400亿元，截至2017年4月，国家大基金共投资了37家企业，累计有效决策项目46项，承诺投资850亿元，实际出资628亿元。半导体迎来资本注入热潮。
产业政策积极引导叠加旺盛消费需求，本土化晶圆产能稳健扩张。国内半导体消费旺盛需求驱动，产业基金及**积极政策护航，国内晶圆厂建设浪潮渐起，其中本土厂商投建产能构成新建产能核心。SEMI预计，2017年~2020年间，全球投产的半导体晶圆厂约为62座，26座位于中国，占比约40%，预计2017年有6座工厂投产，2018年有13座投入运营。若在建晶圆厂均顺利投产，则至2018年，中国本土12寸晶圆产能有望提升至127.5万片/月，较当前产能大幅增长142.86%。
我们认为，随着国内晶圆厂建设潮新起，北方华创作为国内半导体综合设备供应商将迎来产量增长及技术升级两方面发展契机：一方面，政策导向促进半导体设备国产化率提升，新建晶圆厂国产设备份额有望提速增长，带来国产设备放量；另一方面，以中芯国际为代表的本土先进晶圆厂商产能及工艺的进步，将为设备端提供量化工艺试验基础，促进样机改善、提速样机交付进程。
需求端：直接受益本土晶圆产能增长及国产化率提升，设备龙头放量可期
若新建晶圆厂设备国产化率按20%估算，则国产设备需求市场近800亿元。按照我们统计，国内正处于建设或规划中的半导体晶圆厂项目投资额约为6500亿元，以设备支出占比60%估算，新建晶圆厂设备需求近4000亿元。
若设备国产化率按20%估算，则国产化需求市场近800亿元。当前新建项目从开工到投产周期为2-3年，保守以3年作为周期进行估算，年均国产设备需求超260亿元。北方华创作为国内高端半导体工艺设备综合供应商将充分受益。
技术端：绑定IC制造龙头中芯国际，技术升级进程提速
北方华创部分28nm制程设备已进入中芯国际生产线。对于国内半导体设备生产企业而言，由于产品出货量较少，工艺试验线费用难以负担，因此需要利用IC制造企业生产线进行样机试验。国内IC制造龙头中芯国际为北方华创的工艺验证单位，承担了公司02专项大部分验证工作，协助公司完成90nm/65nm/45nm/28nm一系列先进制程设备的研发与投产。基于彼此合作互通，中芯国际亦是公司半导体设备产品的主要销售客户，为公司先进设备产品量产实绩的重要来源。
目前，公司28nm刻蚀机、Saqua™单片清洗机、单片退火设备、氧化退火炉等设备均已落户中芯国际、28nmPVD被中芯国际指定为28nm制程Baseline机台。中芯国际资本支出提增迅速，产能扩张与14nm制程工艺布*并驱。近年，中芯国际资本支出增长迅速，2016年达26.95亿美元，同比大幅增长71.34%。
资本支出主要用于晶圆产能扩张与先进制程工艺的研发，一方面，至2016年，中芯国际等效8寸晶圆产能大幅提升至40.60万片；另一方面，在28nm制程工艺逐渐量产的背景下，公司开始着手14nmFinFET先进制程产研布*。2017第二季度，28nm制程营收占比总营收份额达6.60%，比去年同期增长6个百分点，将渐进成为公司营收主要来源。
图36、中芯国际28nm制程晶圆逐渐量产
北方华创14nm设备逐渐进入生产线验证，有望携手中芯，共同进入中国IC制造14nm世代。北方华创14nm等离子硅刻蚀机已进入上海集成电路研发中心进行工艺生产测试；14nm制程的单片退火设备HardmaskPVD（硬掩模物理气相沉积）设备也已成功进入国际主流集成电路生产线验证。先进制程产研进度较为乐观，与国外技术差距缩短至2个代差。中芯国际作为公司的主要设备购买方，伴随其14nmFinFET工艺生产线研发推进，公司有望分享14nm世代设备需求红利，成为其生产线所用刻蚀机及PVD设备国内主要供应商。
4.4延伸泛半导体产业，多元驱动公司高增长
4.4.1光伏产业景气未央，公司在手订单饱满
全球光伏装机量稳步增长，中国光伏装机量居世界首位。2016年全球光伏新增装机容量73GW，光伏行业每年新增装机量均稳步增长，中国光伏行业协会预计未来几年全球光伏市场将以9%的复合增长率继续扩大市场规模。
2016年国内新增装机量达到34.54GW，占全球光伏新增装机容量的47%，居世界首位。同时，光伏发电“十三五”规划目标为累计装机110-150GW，未来光伏市场还将处于相对2017年上半年国内光伏装机量远超预期，可再生能源发展后劲依旧十足。
2017年上半年国内光伏装机量达到24GW，远超业内预期，预计全年大概率将超过16年33GW的装机量，可再生能源作为未来能源行业的发展方向，市场热情依旧十足，未来仍将具备向上的景气度。
下游客户优质，共享发展高景气，公司斩获订单超10亿元。光伏产业经过洗牌和调整后，产业集中度逐渐提升，优质产商迎来行业整合带来的二次成长机遇。
北方华创依托优质的单晶炉产品，打开下游光伏生产巨头基隆股份需求市场，逐渐成为其稳定的单晶炉设备供应商。受益基隆股份单晶硅产能扩张，公司单晶炉设备在手订单不断增加，总额超10亿元（含中标订单）。2017年7月，公司单晶炉首次成功销往台湾友达晶材股份有限公司，实现海外业绩零突破，海外市场将成为业务新增长点。真空设备业务业绩将逐步兑现，进一步增厚公司业绩。
4.4.2锂电产能爆发式扩张，生产设备需求强劲
新能源汽车行业迸发是大趋势，政策布*引导，至2020年，我国新能源汽车累计产销量预计超500万量，增量空间近400%。2012***发布《节能与新能源汽车产业发展规划（2012-2020年）》，到2020年，纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆，累计产销量超过500万辆。十三五规划纲要中再次明确该目标。
按工信部《汽车产业中长期发展规划》，到2025年，我国汽车销售量将达3500万辆，其中电动汽车占比将超过20%，达700万辆。截止2016年底，我国新能源汽车累计产销量约100万辆，到2020年产销目标，增量空间近400%。
政策风向调整，促行业结构优化；市场化导向，激励优质企业做大做强。2017年6月，工信部释放“积分制”政策轮廓，**直接补贴逐渐转化市场导向的企业间补贴。
以“补贴退坡+积分制度”形成的“十三五”电动汽车政策核心，在引导新能源汽车产销量增长的同时，逐步清除依存于补贴的落后产能，通过落后乘用车企业购买新能源汽车积分向先进企业提供资金补偿方式，实现优质企业做大做强。7月份，国内新能源汽车产销同比增速分别为55.26%、55.56%，显著高于前7月份累计产销量同比增速26.51%、21.26%。渡过上半年的整合低迷期，新能源汽车产业再迎高增长。
新能源汽车产业的迅速成长，带动了动力电池需求的爆炸式增长。根据GGII的数据，2012-2016年，我国动力电池出货量从0.66Gwh增长到30.8Gwh，平均复合增长率达到261%。
根据当前新能源汽车发展期趋势，预计未来几年，国内动力电池需求量将维持30%左右高增速，至2020年，动力电池需求量有望达90Gwh。公司在锂电前端设备领域技术积淀深厚，将充分受益锂电产能扩张带来的设备需求红利。公司是我国最早进入锂电装备行业的企业，技术积淀深厚。
专注于研发和生产锂离子电池极片制造用的浆料制备系统、真空搅拌机、涂布机、强力轧膜机、高速分切机等高价值前端生产装备，迄今已为全国主要的锂离子电池研究院所、生产企业提供了大量的电池制造装备，并将产品远销到日本、德国、俄罗斯等国家，行业地位凸显。2016年，公司新能源锂电设备营收达9557.74万元，同比大幅增长250.05%。受下游锂电产能扩带来制造设备持续旺盛需求，公司锂电设备业务有望持续高增长。
4.4.3电子元器件业务增长稳健，持续贡献高质量业绩
定位高精密市场，电子元器件业务维持平稳增长，持续贡献高质量业绩。依托六十余年的高精密电子元器件生产技术及经营基础，公司该领域研发能力稳居行业首位。
核心产品包括高精密片式电阻器、片式钽电容器、TCXO及OCXO等石英晶体器件、石英MEMS陀螺、负载点电源模块、微波器件等，在航空、航天等高尖领域得到广泛应用，客户依赖度较高。公司电子元器件业务营收规模持续增长，2017年上半年增速更是超过50%，且产品毛利率稳定在40%-50%高水平区间。
受益基础电子产业更新换代需求迭起，及国家高精密电子元器件国产化政策，我们认为，公司电子元器件业务将维持稳定增长，持续贡献高质量营收。
5、盈利预测与投资建议
我们认为，2017年~2020年将是我国半导体行业的高速发展期，公司半导体设备收入复合增速有望达到40%~50%左右，带动公司收入规模和利润水平快速提升；同时，我们预计，2017~2018年光伏行业的快速发展，有望带来单晶生长炉等真空设备的需求爆发式增长，成为公司业绩的又一个增长点。
我们预计，公司2017年~2019年营业收入分别为24.53亿元、32.62亿元、42.02亿元，分别同比增长51.2%、33.0%、28.8%；归属于上市公司股东的净利润分别为1.35亿元、2.35亿元、3.63亿元，分别同比增长45.8%、72.5%、55.1%；基本每股收益分别为0.30元、0.51元、0.79元，对应PE分别为95.7倍、55.5倍、35.8倍。
建议长期关注。
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合理的，不过还是可以优惠的啊
半导体芯片龙头是哪几只股票？
中国半导体芯片龙头股排名前十的有：1、北方华创；2、中芯国际；3、兆易创新；4、卓胜微；5、紫光国微；6、韦尔股份；7、北京君正；8、华润微；9、扬杰科技；10、长电科技。1、北方华创。北方华创科技集团股份有限公司，简称北方华创，股票代码002371，是由北京七星华创电子股份有限公司和北京北方微电子基设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。公司现有四大产业制造基，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和区。2、中芯国际。中芯国际集成电路制造有限公司，港交所股票代码00981，上交所科创板证券代码688981。中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内技术最先进、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业集团。3、兆易创新。北京兆易创新科技股份有限公司成立于2005年，是一家领先的无晶圆厂半导体公司，致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月，公司在上海证券交易所成功上市，股票代码603986。在中国市场，兆易创新的SPINORFLASH市场占有率为第一，同时也是全球排名前三的供应商之一。兆易创新的触控和指纹识别芯片广泛应用在国内外知名移动终端厂商，是国内仅有的两家的可量产供货的光学指纹芯片供应商。4、卓胜微。江苏卓胜微电子股份有限公司成立于2012年8月10日，于2019年6月18日在深圳证券交易所创业板上市，股票简称卓胜微，股票代码300782。公司专注于射频集成电路领域的研究、开发与销售，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品，同时公司还对外提供低功耗蓝牙微控制器芯片。
北方华创股票是主板还是科创板？
北方华创股票是主板
股票代码：002371；交易所：深圳证券交易所。
我国股市是分为不同板块的，我们最常见到的就是主板、创业板、科创板、新三板。
科创板和主板的区别是
【1】企业上市条件不同：目前主板实行审核制，科创板实行注册制，主板上市的条件要严格于创业板，在财务上有严格的要求。科创板上市标准则要宽泛许多，企业在科创板上市有五套标准，满足一点即可上市。
【2】投资者开户条件不同：主板市场开户无门槛，科创板则要求证券账户资产在50万元以上，以及有两年交易经验。
【3】交易制度不同：主板的涨跌幅限制为10%，科创板涨跌幅限制为20%。且科创板新股在上市后第一至第五个交易日内是无涨跌幅限制的。
【4】市场定位不同：股票主板是以传统产业为主的股票交易市场，主要服务于符合国家战略、突破关键核心技术、市场认可度高的科技创新企业。
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有入职七星华创集成电路有限公司的吗，顺义那边的，我今天入职薄膜技术中心，不知道待遇怎么样
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中微半导体VS北方华创，谁才是国内半导体设备之王？
中微半导体设备（上海）股份有限公司（下称“中微公司”）正在冲刺科创板，作为半导体设备公司，在A股当中已经有北方华创（002371.SZ）这家行业领先企业，另外中微公司面对的海外竞争对手也很强大。
对中微公司而言，某些营运数据可能还不如北方华创，能否借助登陆科创板的机会，在业务上取得突破，对刚刚扭亏为盈的中微公司而言其实极为关键。跟北方华创一样，**补助对其收入和利润占比都比较大。
客户从台积电到三安光电，部分产品仅有1.4%全球份额
中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司。公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向全球集成电路和LED芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量服务。
中微公司基于在半导体制造设备产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商。
报告期内，公司每年前五名客户包括台积电、中芯国际、海力士、华力微电子、联华电子、长江存储、三安光电（600703.SH）、华灿光电（300323.SZ）、乾照光电（300102.SZ）、璨扬光电等，以及前述客户同一控制下的关联企业。2016年、2017年和2018年，公司向前五名客户合计销售额占当期销售总额的比例分别为85.74%、74.52%和60.55%。
“公司在国内刻蚀设备市场中有突出市场竞争力，近期两家国内知名存储芯片制造企业采购的刻蚀设备台数订单份额分别为15%和17%”，不过招股书并未透露这两家客户名称，也没有披露整个市场的市场份额。
对此，西南证券电子行业分析师陈杭表示，这充分说明公司自主研发的刻蚀设备正逐步打破国际领先企业在国内市场的垄断，已被海内外主流集成厂商接受。
然而在回复上交所问询函当中，中微公司称：”基于Gartner对全球电容性刻蚀设备是常规末的统计数据，公司的电容性刻蚀设备的全球市场份额约在1.4%左右。随着公司业务规模的不断增长，公司刻蚀设备的全球市场份额有望进一步提升。“
招股书中称，“公司按照电容性等离子体刻蚀设备、电感性等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备、MOCVD设备（Metal-organicChemicalVaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉积，MOCVD设备是LED芯片生产过程中的关键设备）等不同研发对象和项目产品，组成了分工明确的专业研发团队。”
不过除了电容性刻蚀设备1.4%的全球份额以外，其他产品的市场份额，相关公开信息并未有更详细的披露。
招股书称，“从供给端分析，根据中国电子专用设备工业协会的统计数据，2018年国产半导体设备销售额预计为109亿元，自给率约为13%。中国电子专用设备工业协会统计的数据包括集成电路、LED、面板、光伏等设备，实际上国内集成电路设备的国内市场自给率仅有5%左右，在全球市场仅占1-2%，技术含量最高的集成电路前道设备市场自给率更低。”
全球半导体设备市场目前主要由国外厂商主导，行业呈现高度垄断的竞争格*。根据VLSIResearch统计，2018年全球半导体设备系统及服务销售额为811亿美元，其中前五大半导体设备制造厂商，由于起步较早，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了全球半导体设备市场65%的市场份额。在上述的国际一流公司中，阿斯麦在光刻机设备方面形成寡头垄断。应用材料、东京电子和泛林半导体是提供等离子体刻蚀和薄膜沉积等工艺设备的三强。科天半导体是检测设备的龙头企业。
“国外半导体设备企业的应收规模较大且处于成熟期，营收规模增长的速度主要随着全球产业扩张周期的影响，而公司、与公司产品结构接近的A股可比上市公司北方华创等国内半导体设备企业目前规模相对较小且处于快速发展期，市场份额仍有较大的提升空间。”在回复上交所的问询函当中，中微公司如是说。
对标北方华创，**补助较高
市场份额依然有限，除了面临强大的海外竞争对手以外，已在深交所中小板上市的北方华创其实也是中微公司的重要对标企业，在回复上交所的问询函的330页文件当中，中微公司对自身营运状况跟北方华创的财务数据也作出了比较。
北方华创成立于2001年，主要从事基础电子产品的研发、生产、销售和技术服务业务，主要产品包括刻蚀机、物理气相沉积设备、化学气相淀积设备、氧化炉、扩散炉、清洗机及锂电极片装备等半导体设备及零部件。营业收入方面，2018年中微公司为16.39亿元，只有北方华创33.24亿元的不到一半。
陈杭表示，“北方华创主营硅刻蚀设备，中微半导体专攻介质刻蚀设备。北方华创是国内硅刻蚀设备制造巨头，其生产的NMC612D14nmFinFET刻蚀机多项关键指标达到国际先进水平，深硅刻蚀设备也已成功进入东南亚市场。而中微半导体稳坐中国介质刻蚀设备市场龙头，已达到7nm工艺节点，成为台积电7nm产线刻蚀设备5家供应商中唯一一家国产设备公司。”
问询函当中，上交所要求中微公司：“披露北方华创等可比公司情况，包括但不限于毛利率、期间费用率以及应收账款周转率、收入构成、技术水平、产品结构、客户结构、研发投入资本化率等”。相关数据显示，中微公司的毛利率35.5%，小于北方华创的38.38%，其他各项数据都没有优势；另一方面，两者其实都有不少**补助。
中微公司招股书显示，“公司自成立以来先后承担了多项国家重大科研项目，报告期内，公司计入当期损益的**补助金额分别为1.16亿元、1.17亿元、1.70亿元”，这个数据超过营业收入的10%。中微公司营业收入从2016年的6.10亿元增长至2018年的16.39亿元，年均复合增长率达64%，2018年扭亏为盈，实现净利润9083.68万元。
北方华创2018年年报显示，“计入当期损益的**补助为1.77亿元，由于**补助对财务报表影响较大，为此我们将其作为关键审计事项。”2017年和2016年“计入当期损益的**补助”分别为3.88亿元和3.78亿元。
2018年，北方华创实现营业收入33.24亿元，同比增长49.53%;归属于上市公司股东的净利润2.34亿元，同比增长86.05%。电子工艺装备实现营业收入25.21亿元，同比增长75.68%。电子元器件实现营业收入7.88亿元，同比增长3.23%。
可见，**补助对两者的营业收入和净利润都至关重要。
来源：第一财经
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